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专业:控制科学与工程

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刘远

发布时间:2019-03-25 14:45  作者:  浏览量:

导师介绍
姓   名 刘远

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性   别
职称/职务 副教授
所属专业 控制科学与工程
研究领域

集成电路可靠性与安全性

联系电话

         


电子邮箱 eeliuyuan@gdut.edu.cn

个人简述

刘远,IEEE Senior Member、广州市珠江科技新星、国防科技重点实验室优秀中青年人才。主持国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年基金、广州市珠江科技新星专项、中国博士后科学基金、总装预研基金等项目7项,作为子课题负责人或技术负责人参与国家核高基重大专项、广东省科技重大专项、973项目、军委科技委前沿科技创新项目、国家级微电子预研重点项目等项目20余项,作为技术负责人申请并获批广东省集成电路可靠性工程技术研究中心、广东省集成电路产品检测与质量监督检验共性支撑平台等省部级科研平台。近五年来先后发表SCI和EI论文60余篇,其中SCI期刊论文31篇(第一/通讯作者),IEEE期刊论文(第一/通讯作者)10篇;授权发明专利3件,实用新型专利10件。作为主要完成人,2018年获得国防科技进步一等奖。

教育背景:

2004.9-2009.6  华南理工大学,微电子学与固态电子学,博士

2000.9-2004.6  华南理工大学,电子科学与技术,学士


工作经历:

2018.7-至今  广东工业大学自动化学院,副教授

2011.12-2018.6  工业和信息化部电子第五研究所,博士后、高级工程师

2009.7-2011.11  广东工业大学微电子材料与工程系,讲师、系副主任


学术兼职:

IEEE Senior Member, 国家自然科学基金通讯评审专家、广东省科技计划通讯评审专家、广东省“计算与通信芯片”重大专项评审专家,IEEE Electron Device Letters、IEEE Trans. Electron Devices、Applied Physics Letters、Solid-State Electronics、IET Electronic Letters、物理学报、半导体学报等国内外权威期刊审稿人


代表性论著


主要论文:

1.Liu Y., Wu W. J., Lei Z. F., et al. Instability of Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Under Transmission Line Pulsed Stress. IEEE Electron Device Letters. 2014, 35(12): 1254-1256. (SCI, JCR Q1)

2.Liu Y., Wu W. J., En Y. F., et al. Total Dose Ionizing Radiation Effects in the Indium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2014, 35(3): 369-371. (SCI, JCR Q1)

3.Liu Y., Deng S. B., Chen R. S., et al. Low Frequency Noise in the Hybrid-Phase-Microstructure ITO-stabilized ZnO Thin Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2018, 39(2): 200-203. (SCI, JCR Q1)

4.Chen Y. Q., Liu X., Liu Y.*, et al. Hydrogen-dependent low frequency noise and its physical mechanism of HfO2 resistance change random access memory. Applied Physics Letters. 2017, 111(23): 232104. (SCI, JCR Q1, 通讯作者)

5.Liu Y., He H. Y., Chen Y. Y., et al. Temperature-dependent Low-frequency Noise in Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Down to 10 K. IEEE Transaction on Electron Device. 2019, 66(5): 2192-2197. (SCI, JCR Q2)

6.Liu Y., Chen R. S., Li B., et al. Analysis of Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transaction on Electron Device. 2018, 65(1): 356-360. (SCI, JCR Q2)

7.Chen Y. Q., Zhang Y. C., Liu Y.*, et al. Effect of Hydrogen on Defects of AlGaN/GaN HEMTs Characterized by Low-Frequency Noise. IEEE Transaction on Electron Device. 2018, 65(4): 1321-1326. (SCI, JCR Q2, 通讯作者)

8.Liu Y., Cai S. T., Han C. Y., et al. Scaling Down Effect on Low Frequency Noise in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2019, 7(1): 203-207. (SCI, JCR Q2)

9.Liu Y., He H. Y., Chen R. S., et al. Analysis and Simulation of Low Frequency Noise in the Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2018, 6(1): 271-279. (SCI, JCR Q2)

10.Liu Y., Li W. J., Cai S. T., et al. A Novel Wideband Circularly Polarized Modified Square-slot Antenna With Loaded Strips. International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering. Accepted. (SCI, JCR Q3)


科研项目:

1.铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性及其可靠性应用,国家自然科学基金面上项目,61574048,2016.1-2019.12,73.68万,主持.

2.双极型器件低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究,国家自然科学基金青年基金,61204112,2012.1-2015.12,26万,主持.

3.基于噪声分析的金属氧化物薄膜晶体管可靠性表征与质量评估方法,广州市珠江科技新星专项,201710010172,2017.5-2020.4,30万,主持.

4.集成电路产品检测与质量监督检验共性支撑平台,广东省重大科技专项,2015B090912001,2015.7-2018.6,1500万,主笔、技术负责人.

5.基于物理不可克隆结构的芯片安全架构设计与实现,国家级前沿科技创新项目,2016.9-2018.8,300万,主笔、技术负责人.

6.半导体器件低频噪声测试技术及其系统研发,广州市对外合作科技专项,201807010006,2018.5-2021.4,200万,主笔、技术负责人.

7.双极型器件低剂量率辐射效应的解析模型与加速试验方法,中国博士后科学基金,2012M521628,2012.10-2014.10,5万,主持.

8.集成电路强电磁环境可靠性与损伤机理研究,总装预研基金,JAB1528100,2015.7-2017.6,20万,主持.

9.双极线性电路的低剂量率辐照效应,总装预研基金,JS1228180,2012.7-2014.6,30万,主持.

10.纳米集成电路可靠性表征与评价方法, 广东省科技发展专项资金(国际科技合作领域),2018A050506044,2019.1-2020.12,50万,校方负责人.


知识产权:

1.刘远, 恩云飞, 罗宏伟等. 单粒子瞬态脉冲宽度测量方法和测量装置、脉冲产生装置, 国家发明专利(已授权), ZL 201210454236.3

2.刘远, 刘健波, 恩云飞等. 单粒子瞬态脉冲宽度展宽方法与电路, 国家发明专利(已授权), ZL 201310113322.2

3.刘远,周伟源, 陈义强等. 瞬态脉冲宽度展宽电路及方法, 国家发明专利(已公开), 201710173575.7

4.许华杰, 刘远, 恩云飞等. 随机数密钥产生装置及随机数密钥产生方法, 国家发明专利(已公开), 201710198291.3

5.许华杰, 刘远,  恩云飞等. 随机数产生电路及随机数产生方法, 国家发明专利(已公开), 201710198292.8


主要获奖:

1.XX微纳结构的测试与表征, 国防科技进步一等奖(主要完成人)。